SQS411ENW-T1_GE3详细信息_SQS411ENW-T1_GE3相关参数PDF

晶体管

图片仅供参考，请参阅产品规格

购买、咨询产品请填写询价信息

询价型号*	数量*	批号	封装	品牌	其它要求

请确认联系方式，3分钟内即可给您回复

微信： QQ：

库存：17,557(价格仅供参考)

询价数量：

加入询价单立即询价

相关型号

数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Vishay
产品种类	MOSFET
RoHS	是
技术	Si
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	PowerPAK-1212-8W
通道数量	1 Channel
晶体管极性	P-Channel
Vds-漏源极击穿电压	40 V
Id-连续漏极电流	16 A
Rds On-漏源导通电阻	27.3 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压	1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压	20 V
Qg-栅极电荷	50 nC
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 175 C
Pd-功率耗散	53.6 W
配置	Single
通道模式	Enhancement
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
晶体管类型	1 P-Channel TrenchFET Power MOSFET
商标	Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值	23 S
下降时间	6.4 ns
产品类型	MOSFET
上升时间	3 ns
工厂包装数量	3000
子类别	MOSFETs
典型关闭延迟时间	39.6 ns
典型接通延迟时间	10.5 ns

商品其它信息

优势价格，SQS411ENW-T1_GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
MSC2712GT1G	ON Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 100mA 60V NPN	1:¥1.3108 10:¥1.1865 100:¥0.42262 1,000:¥0.28476 3,000:¥0.2147	参考库存:166418
ULN2004AD	Texas Instruments	晶体管	PDF数据手册	达林顿晶体管 Hi V & A Darlington	1:¥5.763 10:¥4.7686 100:¥3.0849 1,000:¥2.4747	参考库存:13415
FQA10N80C-F109	ON Semiconductor / Fairchild	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 800V N-Ch QFET Advance	1:¥26.5098 10:¥22.5096 100:¥19.5151 250:¥18.5207	参考库存:5452
KSA992FBTA	ON Semiconductor / Fairchild	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Epitaxial Xsistr	1:¥1.695 10:¥1.1526 100:¥0.48364 1,000:¥0.32996 2,000:¥0.26103	参考库存:79704
FJ3303010L	Panasonic	晶体管	PDF数据手册	MOSFET SM SIG MOS FET FLT LD 1.2x1.2mm	1:¥3.6838 10:¥2.0566 100:¥1.09158 500:¥0.91417 10,000:¥0.41471 20,000:查看	参考库存:235621