SQS411ENW-T1_GE3详细信息_SQS411ENW-T1_GE3相关参数PDF

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Vishay
产品种类	MOSFET
RoHS	是
技术	Si
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	PowerPAK-1212-8W
通道数量	1 Channel
晶体管极性	P-Channel
Vds-漏源极击穿电压	40 V
Id-连续漏极电流	16 A
Rds On-漏源导通电阻	27.3 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压	1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压	20 V
Qg-栅极电荷	50 nC
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 175 C
Pd-功率耗散	53.6 W
配置	Single
通道模式	Enhancement
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
晶体管类型	1 P-Channel TrenchFET Power MOSFET
商标	Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值	23 S
下降时间	6.4 ns
产品类型	MOSFET
上升时间	3 ns
工厂包装数量	3000
子类别	MOSFETs
典型关闭延迟时间	39.6 ns
典型接通延迟时间	10.5 ns

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
APT30M30LFLLG	Microsemi	晶体管	PDF数据手册	MOSFET Power FREDFET - MOS7	1:¥277.9348 5:¥267.0981 10:¥257.0298 25:¥236.2039	参考库存:32334
NSVMMUN2136LT1G	ON Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS SOT23 PNP DIGITA L TRAN	1:¥1.07576 10:¥0.99101 100:¥0.35369 1,000:¥0.23843 3,000:¥0.17628	参考库存:32339
PDTB123YUF	Nexperia	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 预偏置 500 mA, 50 V PNP resistor-equipped	1:¥2.6103 10:¥1.7967 100:¥0.75258 1,000:¥0.51528 10,000:¥0.34578 20,000:查看	参考库存:32344
SI3465DV-T1-GE3	Vishay / Siliconix	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 20V 4.0A 2.0W 80mohm @ 10V	1:¥4.5313 10:¥3.6838 100:¥2.8024 500:¥2.3052 3,000:¥1.6724 6,000:查看	参考库存:32349
DXTN3C60PSQ-13	Diodes Incorporated	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 60V NPN Medium Pwr Low Sat Transistor	1:¥4.6895 10:¥3.8872 100:¥2.373 1,000:¥1.8419 2,500:¥1.5594	参考库存:14354