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晶体管
IKW15N120T2参考图片

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IKW15N120T2

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 LOW LOSS DuoPack 1200V 15A
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库存:5,909(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥40.4992
40.4992
10
¥34.4198
344.198
100
¥29.8094
2980.94
250
¥28.3517
7087.925
500
¥25.4363
12718.15
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.2 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
30 A
Pd-功率耗散
235 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
TRENCHSTOP IGBT
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
30 A
高度
20.9 mm
长度
15.9 mm
宽度
5.03 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
600 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IKW15N120T2FKSA1 IKW15N12T2XK SP000244961
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,IKW15N120T2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET PCH+NCH 4V DRIVE SERIES
3,000:¥1.921
9,000:¥1.8532
24,000:¥1.7854
45,000:¥1.7515
参考库存:93981
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP High Voltage
2,000:¥12.9837
4,000:¥12.4526
参考库存:30945
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 720-960 MHz 80 W Avg. 28 V
250:¥1,181.7992
参考库存:30950
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Med Power
1,200:¥8.8366
2,800:¥8.2264
5,200:¥7.91
10,000:¥7.6049
参考库存:30955
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS W/ BLT-IN RES FLT LD 1.2x1.2mm
10,000:¥0.56839
20,000:¥0.53788
参考库存:30960
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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