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晶体管
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RQ6E085BNTCR

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET Nch 30V 8.5A Si MOSFET
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库存：32,601(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.5314
6.5314
10
¥5.4805
54.805
100
¥3.5369
353.69
1,000
¥2.825
2825
3,000
¥2.3843
7152.9
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-457-6
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
8.5 A
Rds On-漏源导通电阻
11.1 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
32.7 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.25 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel
商标
ROHM Semiconductor
正向跨导 - 最小值
8 S
下降时间
31 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
16 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
70 ns
典型接通延迟时间
11 ns
零件号别名
RQ6E085BN
商品其它信息
优势价格，RQ6E085BNTCR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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