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晶体管
SQ2361AEES-T1_GE3参考图片

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SQ2361AEES-T1_GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET -60V Vds +/-20V Vgs AEC-Q101 Qualified
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库存:634,600(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.7686
4.7686
10
¥3.6612
36.612
100
¥2.712
271.2
500
¥2.2261
1113.05
3,000
¥1.5707
4712.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
2.8 A
Rds On-漏源导通电阻
170 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
10 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
2 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SQ
晶体管类型
1 P-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
5 S
下降时间
4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
9 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
24 ns
典型接通延迟时间
9 ns
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格,SQ2361AEES-T1_GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 100V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET
1:¥11.6051
10:¥9.9101
100:¥7.6049
500:¥6.7235
1,000:¥5.2997
2,500:¥5.2997
参考库存:140904
晶体管
MOSFET Quad MOSFET ARRAY Vt=2.40V
1:¥31.1202
10:¥27.8206
25:¥25.0521
50:¥24.3628
参考库存:3501
晶体管
MOSFET 100V 80A E-Mode GaN
1:¥64.9298
10:¥63.0879
25:¥60.3985
250:¥56.0932
1,000:¥54.4773
参考库存:5763
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power Transistor
1:¥6.9947
10:¥5.9212
100:¥4.5539
500:¥4.0228
参考库存:6295
晶体管
MOSFET Power MOSFET, N-CHAN 600V, 8A, 600mOhm
1:¥14.2154
10:¥12.8368
100:¥10.3734
500:¥8.0682
参考库存:3847
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    科技智能大仓储

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