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晶体管
GS61008P-E05-MR参考图片

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GS61008P-E05-MR

  • GaN Systems
  • 新批次
  • MOSFET 100V 80A E-Mode GaN
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库存:5,763(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥64.9298
64.9298
10
¥63.0879
630.879
25
¥60.3985
1509.9625
250
¥56.0932
14023.3
1,000
¥54.4773
54477.3
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
GaN Systems
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
GaN
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
GaNPX-4
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
90 A
Rds On-漏源导通电阻
7 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.3 V
Vgs - 栅极-源极电压
7 V
Qg-栅极电荷
12 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.51 mm
长度
7.5 mm
产品
MOSFET
系列
GS6100x
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.6 mm
商标
GaN Systems
湿度敏感性
Yes
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
零件号别名
GS61008P-E05-MR
商品其它信息
优势价格,GS61008P-E05-MR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥71.6194
200:¥65.314
500:¥61.0878
1,000:¥56.0141
参考库存:32506
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Transistor
100:¥1,686.5589
参考库存:32511
晶体管
射频(RF)双极晶体管 Avionics/Bipolar Transistor
50:¥825.4198
100:¥795.4522
参考库存:32516
晶体管
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1,000:¥5.5031
2,000:¥4.7234
4,000:¥4.3053
10,000:¥3.9211
参考库存:32521
晶体管
IGBT 模块 1700V 200A DUAL
10:¥1,829.8655
30:¥1,804.2823
50:¥1,804.2032
参考库存:32526
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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