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晶体管

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BSM200GB170DLC

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数量单价合计
10
¥1,829.8655
18298.655
30
¥1,804.2823
54128.469
50
¥1,804.2032
90210.16
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
1700 V
集电极—射极饱和电压
2.6 V
在25 C的连续集电极电流
400 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
1660 W
封装 / 箱体
62 mm
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
30.5 mm
长度
106.4 mm
宽度
61.4 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
BSM200GB170DLCHOSA1 SP000100711
商品其它信息
优势价格,BSM200GB170DLC的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS LN XSTR NPN 50V
1:¥3.9211
10:¥3.277
100:¥2.0001
1,000:¥1.5481
3,000:¥1.3221
参考库存:19159
晶体管
MOSFET 60V Vds 3rd Gen TO-220 Fullpak
1:¥8.1473
10:¥6.7122
100:¥5.1528
500:¥4.4296
1,000:¥3.4917
参考库存:28731
晶体管
MOSFET CPU SUP WITH 16K EEPROM
1:¥12.6786
10:¥10.7576
100:¥8.6106
500:¥7.5032
3,000:¥5.7969
6,000:查看
参考库存:28736
晶体管
IGBT 模块 600V 15A EASY2
1:¥377.4426
5:¥369.058
10:¥352.1532
25:¥337.4067
参考库存:4271
晶体管
MOSFET N-Chan 100V 9.2 Amp
1:¥13.447
10:¥11.0627
100:¥8.5315
500:¥7.2885
参考库存:9113
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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