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晶体管
QPD1022SR参考图片

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QPD1022SR

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-12GHz 10W 32V GaN
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库存:35,244(价格仅供参考)
数量单价合计
100
¥206.2363
20623.63
200
¥191.7949
38358.98
500
¥178.3479
89173.95
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
24 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
32 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 2.8 V
Id-连续漏极电流
610 mA
输出功率
10 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
Pd-功率耗散
13.8 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
QFN-16
封装
Reel
工作频率
DC to 12 GHz
系列
QPD1022
商标
Qorvo
开发套件
QPD1022EVB01
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
100
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格,QPD1022SR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch Enh Mode FET 130Vdss 20Vgss
1:¥4.068
10:¥3.3335
100:¥2.034
1,000:¥1.5707
3,000:¥1.3334
参考库存:28724
晶体管
MOSFET PMOS PWR56 40V 4.9 MOHM
1:¥15.142
10:¥12.8368
100:¥10.2943
500:¥8.9948
3,000:¥6.9721
6,000:查看
参考库存:16486
晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS
1:¥15.8313
10:¥13.447
100:¥10.7576
500:¥9.4468
1,000:¥7.8422
参考库存:46903
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP DPAK NPN 2A 80V
1:¥6.5314
10:¥5.3788
100:¥3.4691
1,000:¥2.7798
2,500:¥2.3391
参考库存:13890
晶体管
MOSFET MOS Discretes WLCSP
1:¥3.2318
10:¥2.4295
100:¥1.3221
1,000:¥0.99101
参考库存:68712
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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