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晶体管
SIHF22N65E-GE3参考图片

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SIHF22N65E-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
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库存：31,972(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥37.8098
37.8098
10
¥31.3462
313.462
100
¥25.8205
2582.05
250
¥24.973
6243.25
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220FP-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
22 A
Rds On-漏源导通电阻
180 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
73 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
35 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
15.9 mm
长度
10.5 mm
系列
E
宽度
4.69 mm
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
38 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
33 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
73 ns
典型接通延迟时间
22 ns
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，SIHF22N65E-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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1,000:¥13.673
2,500:¥12.9837
5,000:¥12.5204
参考库存:35328

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    品类不断扩充

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