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晶体管
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PTVA102001EA-V1-R2

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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库存：31,721(价格仅供参考)
数量单价合计
250
¥1,046.8659
261716.475
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
105 V
Rds On-漏源导通电阻
340 mOhms
增益
18.5 dB
输出功率
200 W
最大工作温度
+ 225 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
H-36265-2
封装
Reel
工作频率
960 MHz to 1600 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Wolfspeed / Cree
通道数量
1 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
商品其它信息
优势价格，PTVA102001EA-V1-R2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SIRA52DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥10.6785
10:¥8.8366
100:¥6.7913
500:¥5.8421
1,000:¥4.6104
3,000:¥4.6104
参考库存:32830
IRL40B212
Infineon / IR
晶体管
MOSFET 40V, 195A, 1.9 mOhm 91 nC Qg, Logic Lvl
1:¥22.1254
10:¥18.8258
100:¥16.2946
250:¥15.4471
参考库存:16457
SQJ401EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET P-Channel 12V AEC-Q101 Qualified
1:¥15.7522
10:¥13.1419
100:¥10.1474
500:¥8.9157
1,000:¥7.3563
3,000:¥7.3563
参考库存:53349
RD3H200SNTL1
ROHM Semiconductor
晶体管
MOSFET Nch 45V 20A TO-252 (DPAK)
1:¥8.9948
10:¥7.6614
100:¥5.8873
500:¥5.198
2,500:¥5.198
参考库存:13666
FF600R12ME4CP_B11
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块
1:¥1,958.2674
5:¥1,911.169
10:¥1,863.6751
25:¥1,837.5495
参考库存:2958

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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