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晶体管
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MHT1108NT1

  • NXP Semiconductors
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MHT1108N/HVSON16///REEL 7 Q1 DP
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数量单价合计
1
¥89.9819
89.9819
10
¥82.7612
827.612
25
¥79.3034
1982.585
100
¥69.8453
6984.53
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
143 mA
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 65 V
增益
18.1 dB
输出功率
12.5 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DFN-16
封装
Cut Tape
封装
Reel
工作频率
2450 MHz
系列
MHT1108N
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP Semiconductors
Pd-功率耗散
32.9 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
0.8 V
零件号别名
935337042515
单位重量
0.001 mg
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IRFS7530TRL7PP
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET MOSFET N CH 60V 240A D2PAK
1:¥24.5097
10:¥20.8259
100:¥18.0574
250:¥17.1308
800:¥12.9046
2,400:查看
参考库存:34103
2PC4081R,115
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS GP TAPE-7
1:¥1.3786
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1,000:¥0.30736
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2SD1816S-E
ON Semiconductor
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP NPN 4A 100V
1:¥6.7574
10:¥5.5935
100:¥3.616
1,000:¥2.8928
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BC847BT-7-F
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN BIPOLAR
1:¥1.695
10:¥1.10627
100:¥0.46104
1,000:¥0.31527
3,000:¥0.24634
参考库存:24024
BCW61C,215
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS GP TAPE-7
1:¥1.921
10:¥1.2769
100:¥0.52997
1,000:¥0.3616
3,000:¥0.28476
参考库存:25861

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