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晶体管
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IMT1AT108

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS GP BJT PNP 50V 0.15A 6PIN
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数量单价合计
1
¥3.3787
3.3787
10
¥2.5538
25.538
100
¥1.3786
137.86
1,000
¥1.03734
1037.34
3,000
¥0.89948
2698.44
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SMT-6
晶体管极性
PNP
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 50 V
集电极—基极电压 VCBO
- 60 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 6 V
集电极—射极饱和电压
- 0.5 V
最大直流电集电极电流
0.15 A
增益带宽产品fT
140 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
直流电流增益 hFE 最大值
560
高度
1.1 mm
长度
2.9 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
1.6 mm
商标
ROHM Semiconductor
集电极连续电流
- 150 mA
直流集电极/Base Gain hfe Min
120
Pd-功率耗散
300 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格,IMT1AT108的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 75V N Channel Power Mosfet
4,000:¥12.4526
5,000:¥11.9102
参考库存:28163
晶体管
JFET JFET N-Channel Dual
62:¥115.5651
100:¥106.3443
250:¥96.9766
500:¥90.5921
参考库存:28168
晶体管
MOSFET 800V, 6A, Single N- Channel Power MOSFET
4,000:¥7.5371
5,000:¥7.2546
10,000:¥7.0964
参考库存:28173
晶体管
MOSFET N-channel 60 V, 0.0012 Ohm typ., 260 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package
1:¥24.3628
10:¥20.7468
100:¥17.9783
250:¥17.063
参考库存:1914
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
100:¥1,615.4819
参考库存:28180
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

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