APT100GT60JRDQ4详细信息_APT100GT60JRDQ4相关参数PDF

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Microchip
产品种类	IGBT 模块
RoHS	是
产品	IGBT Silicon Carbide Modules
配置	Single
集电极—发射极最大电压 VCEO	600 V
集电极—射极饱和电压	2.1 V
在25 C的连续集电极电流	148 A
栅极—射极漏泄电流	300 nA
Pd-功率耗散	500 W
封装 / 箱体	ISOTOP-4
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
封装	Tube
商标	Microchip / Microsemi
安装风格	SMD/SMT
栅极/发射极最大电压	30 V
产品类型	IGBT Modules
工厂包装数量	1
子类别	IGBTs

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
FD300R07PE4_B6	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	IGBT 模块 IGBT Module 300A 650V	1:¥1,209.6876 5:¥1,180.5675 10:¥1,151.2892 25:¥1,135.1528	参考库存:1319
NSBA124EF3T5G	ON Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 预偏置 SOT-1123 PBRT TRANSISTOR	1:¥2.6894 10:¥2.0453 100:¥1.10627 1,000:¥0.82942 8,000:¥0.66896 24,000:查看	参考库存:41311
SUP85N10-10-GE3	Vishay / Siliconix	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 100V 85A 250W 10.5mohm @ 10V	1:¥51.2568 10:¥42.488 100:¥34.9622 250:¥33.8887	参考库存:3813
IKW75N60T	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	IGBT 晶体管 LOW LOSS DuoPack 600V 75A	1:¥63.619 10:¥57.4718 25:¥54.7824 100:¥47.5617	参考库存:2735
TIG058E8-TL-H	ON Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	IGBT 晶体管 LIGHT-CONTROLLING FLASH	1:¥6.3732 10:¥5.2432 100:¥3.3787 1,000:¥2.7007 3,000:¥2.2939	参考库存:11637