PBSS303PD,115详细信息_PBSS303PD,115相关参数PDF

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Nexperia
产品种类	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS	是
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	TSOP-6
晶体管极性	PNP
配置	Single
集电极—发射极最大电压 VCEO	60 V
集电极—基极电压 VCBO	60 V
发射极 - 基极电压 VEBO	5 V
最大直流电集电极电流	3 A
增益带宽产品fT	110 MHz
最小工作温度	- 65 C
最大工作温度	+ 150 C
直流电流增益 hFE 最大值	180 at 500 mA, 2 V
高度	1 mm
长度	3.1 mm
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
宽度	1.7 mm
商标	Nexperia
直流集电极/Base Gain hfe Min	180 at 500 mA, 2 V, 160 at 1 A, 2 V, 130 at 2 A, 2 V, 95 at 3 A, 2 V, 60 at 4 A, 2 V, 35 at 5 A, 2 V, 20 at 6 A, 2 V
Pd-功率耗散	2500 mW
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors
资格	AEC-Q101
工厂包装数量	3000
子类别	Transistors
零件号别名	PBSS303PD T/R
单位重量	20 mg

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
STP33N60M2	STMicroelectronics	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-CH 600V 0.108Ohm typ. 26A MDmesh M2	1:¥28.0466 10:¥23.8204 100:¥20.6677 250:¥19.5942	参考库存:6762
BCP53-16,115	Nexperia	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS MED PWR TAPE-7	1:¥3.0736 10:¥2.1809 100:¥1.00683 1,000:¥0.7684 2,000:¥0.66105	参考库存:171484
F4-150R12KS4	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	IGBT 模块 N-CH 1.2KV 180A	1:¥1,722.7528 5:¥1,681.2592 10:¥1,639.5396 25:¥1,616.5554	参考库存:1871
IPB65R310CFDA	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Ch 650V 11.4A D2PAK-2	1:¥21.2101 10:¥17.9783 100:¥14.3736 500:¥12.5995 1,000:¥10.4525	参考库存:6773
IKZ75N65NH5XKSA1	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS	1:¥61.3929 10:¥55.5508 25:¥52.9405 100:¥45.9458	参考库存:2975