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晶体管
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STGWA8M120DF3

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 8 A low loss
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数量单价合计
1
¥27.5042
27.5042
10
¥23.3571
233.571
100
¥20.2835
2028.35
250
¥19.21
4802.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
1.85 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
16 A
Pd-功率耗散
167 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGWA8M120DF3
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
600
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格,STGWA8M120DF3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch PWR FET 75A 103W 100V VDSS
1:¥11.2209
10:¥8.9948
100:¥6.8817
500:¥6.0794
参考库存:4847
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Bias Resistor Built-in transistor
1:¥2.7685
10:¥1.7854
100:¥0.7458
1,000:¥0.50737
3,000:¥0.3842
参考库存:42429
晶体管
JFET JFET P-Channel -30V 50mA 360mW 3.27mW
1:¥27.5833
10:¥22.2045
100:¥18.2156
500:¥16.3624
参考库存:3061
晶体管
IGBT 模块 Bridge Rectifier 1200V
1:¥278.7032
5:¥272.556
10:¥260.0243
25:¥249.1876
参考库存:2528
晶体管
达林顿晶体管 BIP D2PAK XSTR TR
1:¥21.8203
10:¥18.5998
100:¥14.9047
500:¥12.9837
800:¥10.7576
参考库存:7695
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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