DMTH6005LPSQ-13详细信息_DMTH6005LPSQ-13相关参数PDF

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Diodes Incorporated
产品种类	MOSFET
RoHS	是
技术	Si
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	PowerDI5060-8
通道数量	1 Channel
晶体管极性	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压	60 V
Id-连续漏极电流	100 A
Rds On-漏源导通电阻	10 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压	1 V
Vgs - 栅极-源极电压	20 V
Qg-栅极电荷	47.1 nC
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 175 C
Pd-功率耗散	150 W
配置	Single
通道模式	Enhancement
资格	AEC-Q101
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
产品	MOSFETs
系列	DMTH6005
晶体管类型	1 N-Channel
类型	N-Channel Enhancement Mode MOSFET
商标	Diodes Incorporated
下降时间	8.9 ns
产品类型	MOSFET
上升时间	9.4 ns
工厂包装数量	2500
子类别	MOSFETs
典型关闭延迟时间	22 ns
典型接通延迟时间	8.3 ns
单位重量	96 mg

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
BC848BW-7-F	Diodes Incorporated	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN BIPOLAR	3,000:¥0.24634 9,000:¥0.2147 24,000:¥0.20001 45,000:¥0.18419	参考库存:94090
BCV47E6327HTSA1	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	达林顿晶体管 AF Trans Darlington NPN 60V 0.5A	1:¥2.5312 10:¥1.7289 100:¥0.72207 1,000:¥0.49155 3,000:¥0.3842	参考库存:91262
BUK6213-30C,118	Nexperia	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-CHAN 30V 47A	暂无价格	参考库存:47376
JANTX2N6193	Microsemi	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT	1:¥150.6855 10:¥136.9334 25:¥126.7069 50:¥119.8704	参考库存:4109
MMBT2907A-D87Z	ON Semiconductor / Fairchild	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Transistor General Purpose	暂无价格	参考库存:47383