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晶体管
NVD5C454NT4G参考图片

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NVD5C454NT4G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET T6 40V DPAK EXP
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库存:12,959(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥8.2942
8.2942
10
¥7.1416
71.416
100
¥5.4805
548.05
500
¥4.8477
2423.85
2,500
¥3.4013
8503.25
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DPAK-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
83 A
Rds On-漏源导通电阻
4.2 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
32 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
56 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
ON Semiconductor
正向跨导 - 最小值
80 S
下降时间
8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
47 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
24 ns
典型接通延迟时间
11 ns
商品其它信息
优势价格,NVD5C454NT4G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET -20V Vds 12V Vgs 1206-8 ChipFET
1:¥5.763
10:¥4.6669
100:¥3.5369
500:¥2.9154
3,000:¥2.9154
参考库存:119570
晶体管
MOSFET LowON Res MOSFET ID=0.1A VDSS=20V
1:¥2.5312
10:¥1.6385
100:¥0.68365
1,000:¥0.46895
10,000:¥0.30736
20,000:查看
参考库存:49152
晶体管
IGBT 模块 Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Single
1:¥295.2238
2:¥287.2234
5:¥279.2343
10:¥271.3243
参考库存:2969
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 500mA 300V PNP
1:¥1.5368
10:¥1.3334
100:¥0.47686
1,000:¥0.31527
10,000:¥0.20792
20,000:查看
参考库存:129881
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Transistor General Purpose
1:¥1.921
10:¥1.356
100:¥0.56839
1,000:¥0.3842
3,000:¥0.30736
参考库存:208418
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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