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晶体管
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FDB0190N807L

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数量单价合计
1
¥39.4144
39.4144
10
¥33.5045
335.045
100
¥29.041
2904.1
250
¥27.5042
6876.05
800
¥20.8259
16660.72
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-7
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
80 V
Id-连续漏极电流
270 A
Rds On-漏源导通电阻
1.7 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
178 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
3.8 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.7 mm
长度
10.2 mm
系列
FDB0190N807L
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.4 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
133 S
下降时间
50 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
78 ns
工厂包装数量
800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
98 ns
典型接通延迟时间
60 ns
单位重量
1.312 g
商品其它信息
优势价格，FDB0190N807L的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
QPD3601
Qorvo
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10:¥52.6354
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参考库存:10328
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100:¥4.4635
500:¥3.955
1,000:¥3.1075
参考库存:70465

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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