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晶体管
NGTB03N60R2DT4G参考图片

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NGTB03N60R2DT4G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 RC2 IGBT 3A 600V DPAK
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数量单价合计
1
¥6.6896
6.6896
10
¥5.5144
55.144
100
¥3.5595
355.95
1,000
¥2.8476
2847.6
2,500
¥2.4069
6017.25
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
DPAK-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.7 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
9 A
Pd-功率耗散
49 W
最大工作温度
+ 175 C
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极最大连续电流 Ic
4.5 A
商标
ON Semiconductor
栅极—射极漏泄电流
+/- 100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
2500
子类别
IGBTs
单位重量
350 mg
商品其它信息
优势价格，NGTB03N60R2DT4G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IPW90R120C3
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 900V 36A TO247-3 CoolMOS C3
1:¥122.0174
10:¥112.1864
25:¥107.4969
100:¥94.7392
参考库存:11841
IRF3710ZSTRLPBF
Infineon / IR
晶体管
MOSFET MOSFT 100V 59A 18mOhm 82nC Qg
1:¥12.4526
10:¥10.5994
100:¥8.4524
500:¥7.4354
800:¥6.1585
参考库存:32833
FDMS86103L
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
1:¥13.0628
10:¥11.1418
100:¥8.9157
500:¥7.7631
1,000:¥6.4636
3,000:¥6.0229
参考库存:12955
DDA123JU-7-F
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 200MW 2.2K 47K
1:¥2.8476
10:¥1.9097
100:¥0.79891
1,000:¥0.54579
3,000:¥0.42262
参考库存:10947
STB10LN80K5
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-channel 800 V, 0.55 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a D2PAK package
1:¥21.2101
10:¥18.0574
100:¥14.4414
500:¥12.5995
1,000:¥10.4525
参考库存:3399

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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    4小时快速发货

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