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晶体管
CGHV40180F参考图片

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CGHV40180F

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT
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数量单价合计
1
¥2,663.9637
2663.9637
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
发货限制:
此产品可能需要其他文件才能从美国出口。
RoHS
晶体管类型
HEMT
技术
GaN
增益
20.3 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
125 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 10 V, 2 V
Id-连续漏极电流
18 A
输出功率
180 W
最大漏极/栅极电压
-
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
150 W
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
440223
封装
Tray
工作频率
DC to 1000 MHz
商标
Wolfspeed / Cree
正向跨导 - 最小值
-
开发套件
CGHV40180F-TB1
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
Transistors
Vgs th-栅源极阈值电压
- 3.8 V
商品其它信息
优势价格,CGHV40180F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-CHAN 30V 100A
1:¥8.7575
10:¥7.4806
100:¥5.7404
500:¥5.0737
参考库存:28209
晶体管
MOSFET P-Ch MOS -50A -60V 90W 6290pF 0.0138
1:¥13.6052
10:¥10.9836
100:¥8.7575
500:¥7.6727
2,000:¥5.9212
4,000:查看
参考库存:29786
晶体管
MOSFET 30V 350 MA N-CH TRENCH MOSFET
1:¥1.921
10:¥1.3108
100:¥0.5537
1,000:¥0.37629
3,000:¥0.29154
参考库存:347698
晶体管
MOSFET NFET DPAK 40V 123A 3.7MOH
1:¥11.752
10:¥9.9892
100:¥7.9891
500:¥6.9608
2,500:¥5.3675
5,000:查看
参考库存:13330
晶体管
MOSFET DUAL N-CHANNEL
1:¥3.842
10:¥3.1979
100:¥1.9549
1,000:¥1.5029
3,000:¥1.2882
参考库存:19047
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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