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晶体管
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STGW40M120DF3

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 40 A low loss
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1
¥82.2188
82.2188
10
¥74.3088
743.088
25
¥70.851
1771.275
100
¥61.5511
6155.11
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
1.85 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
468 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGW40M120DF3
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
40 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
600
子类别
IGBTs
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格，STGW40M120DF3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DTC124EUAT106
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN 50V 30MA SOT-323
1:¥1.4577
10:¥1.2882
100:¥0.45313
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23052
参考库存:9458
SQJ570EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET N Ch P Ch 100/-100V AEC-Q101 Qualified
1:¥8.8366
10:¥7.7631
100:¥6.3506
500:¥4.972
3,000:¥3.616
6,000:查看
参考库存:267665
SIR662DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 60V 2.7mOhm@10V 60A N-Ch MV T-FET
1:¥15.4471
10:¥12.8368
100:¥9.9101
500:¥8.6784
3,000:¥8.6784
参考库存:20967
BCP51
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SOT-223 PNP GP AMP
1:¥4.0002
10:¥3.0397
100:¥1.6498
1,000:¥1.2317
4,000:¥1.06785
参考库存:9824
IPT020N10N3ATMA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET MV POWER MOS
1:¥51.0986
10:¥46.1831
25:¥44.0248
100:¥38.194
2,000:¥28.9732
参考库存:32066

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