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晶体管
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STGW30H60DF

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 600V 30A High Speed Trench Gate IGBT
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数量单价合计
1
¥25.7414
25.7414
10
¥21.8994
218.994
100
¥18.984
1898.4
250
¥18.0574
4514.35
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.4 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
60 A
Pd-功率耗散
260 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGW30H60DF
封装
Tube
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
600
子类别
IGBTs
单位重量
6.500 g
商品其它信息
优势价格，STGW30H60DF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2DD2656-7
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) LOW VSAT NPN SMT 3K
1:¥2.6103
10:¥1.6724
100:¥0.71416
1,000:¥0.5537
3,000:¥0.41471
参考库存:76035
FCX717TA
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Low Saturation
1:¥4.8364
10:¥4.0228
100:¥2.4634
1,000:¥1.8984
2,000:¥1.6159
参考库存:16037
DMS2220LFDB-7
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET 20V 3.5A P-CHNL
1:¥3.2996
10:¥2.7798
100:¥1.695
1,000:¥1.3108
3,000:¥1.11418
参考库存:16039
BFP181E7764HTSA1
Infineon Technologies
晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR
1:¥3.1527
10:¥2.0566
100:¥0.88366
1,000:¥0.67574
3,000:¥0.51528
参考库存:45841
2SB1205T-TL-E
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP PNP 5A 20V
1:¥4.8364
10:¥3.9776
100:¥2.5651
700:¥2.0566
2,100:¥1.7402
参考库存:11253

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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