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晶体管
IRFH7911TRPBF参考图片

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IRFH7911TRPBF

  • Infineon / IR
  • 新批次
  • MOSFET 30V DUAL N-CH HEXFET 8.6mOhms 8.3nC
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数量单价合计
1
¥18.984
18.984
10
¥16.1364
161.364
100
¥12.9046
1290.46
500
¥11.30
5650
4,000
¥8.3733
33493.2
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PQFN-18
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
13 A, 28 A
Rds On-漏源导通电阻
8.6 mOhms, 3 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.35 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
8.3 nC, 34 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.4 W, 3.4 W
配置
Dual
商标名
StrongIRFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1 mm
长度
6 mm
晶体管类型
2 N-Channel
宽度
5 mm
商标
Infineon / IR
正向跨导 - 最小值
17 S, 106 S
下降时间
5.9 ns, 14 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
15 ns, 35 ns
工厂包装数量
4000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
12 ns, 28 ns
典型接通延迟时间
12 ns, 22 ns
零件号别名
SP001577920
商品其它信息
优势价格，IRFH7911TRPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BC847BHZGT116
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN SOT-23 0.1A 200 to 450hFE 45V
1:¥1.2317
10:¥1.09158
100:¥0.3842
1,000:¥0.26103
3,000:¥0.20001
参考库存:159635
CSD13380F3T
Texas Instruments
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1:¥2.9945
10:¥2.0792
100:¥0.96841
250:¥0.96841
1,000:¥0.7458
参考库存:24172
UF3C065040K4S
UnitedSiC
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1:¥274.6239
5:¥262.2504
10:¥254.1144
25:¥233.5145
参考库存:4969
2SCR375P5T100Q
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1:¥4.9946
10:¥4.0906
100:¥2.486
1,000:¥1.9323
2,000:¥1.6498
参考库存:6621
RJK005N03FRAT146
ROHM Semiconductor
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MOSFET Nch 30V Vds 0.5A 0.65Rds(on) 2Qg
1:¥3.4578
10:¥2.2261
100:¥0.95259
1,000:¥0.72998
3,000:¥0.5537
参考库存:22493

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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