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晶体管
IPD600N25N3GATMA1参考图片

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IPD600N25N3GATMA1

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库存:22,073(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥19.2891
19.2891
10
¥16.3624
163.624
100
¥13.0628
1306.28
500
¥11.4469
5723.45
1,000
¥9.4468
9446.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
250 V
Id-连续漏极电流
25 A
Rds On-漏源导通电阻
60 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
22 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
136 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
6.22 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
24 S
下降时间
8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
22 ns
典型接通延迟时间
10 ns
零件号别名
G IPD600N25N3 SP001127834
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,IPD600N25N3GATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 60V P-Channel QFET
1:¥8.8366
10:¥7.5258
100:¥5.7856
500:¥5.1189
1,000:¥4.0341
参考库存:13119
晶体管
MOSFET 600V NCH MOSFET
1:¥16.1364
10:¥13.673
100:¥10.9836
500:¥9.605
参考库存:10856
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Trans LFreq -50V PNP PNP -0.15A
1:¥2.5312
10:¥1.695
100:¥0.69156
1,000:¥0.53788
3,000:¥0.3842
9,000:¥0.30736
参考库存:31638
晶体管
MOSFET N-Ch 20V 3.7A SOT-23-3
1:¥3.4578
10:¥2.8702
100:¥1.7515
1,000:¥1.356
3,000:¥1.1639
参考库存:17720
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN 50V 0.8A TRANSISTOR LOG
1:¥4.0002
10:¥2.3052
100:¥1.1526
1,000:¥0.84524
3,000:¥0.7684
参考库存:43562
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

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