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晶体管
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2N5883G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 25A 60V 200W PNP
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1
¥49.7878
49.7878
10
¥45.0305
450.305
50
¥42.9513
2147.565
100
¥37.2674
3726.74
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-204-2
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
60 V
集电极—基极电压 VCBO
60 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
1 V
最大直流电集电极电流
25 A
增益带宽产品fT
4 MHz
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
2N5883
高度
8.51 mm (Max)
长度
39.37 mm
封装
Tray
宽度
26.67 mm (Max)
商标
ON Semiconductor
集电极连续电流
25 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
20
Pd-功率耗散
200 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
100
子类别
Transistors
单位重量
12.247 g
商品其它信息
优势价格，2N5883G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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2,000:¥0.97632
10,000:¥0.90626
25,000:¥0.83733
50,000:¥0.80682
100,000:¥0.7684
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暂无价格
参考库存:30301

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