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晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	ROHM Semiconductor
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Single
晶体管极性	PNP
典型输入电阻器	2.2 kOhms
典型电阻器比率	4.5
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SC-59-3
直流集电极/Base Gain hfe Min	33
集电极—发射极最大电压 VCEO	- 50 V
集电极连续电流	- 100 mA
峰值直流集电极电流	- 100 mA
Pd-功率耗散	150 mW
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
系列	DTA123YE
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
直流电流增益 hFE 最大值	33
高度	0.7 mm
长度	1.6 mm
宽度	0.8 mm
商标	ROHM Semiconductor
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	3000
子类别	Transistors
零件号别名	DTA123YE

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
PSMN4R0-40YS,115	Nexperia	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-CH 40V 4.2 mOhm Standard MOSFET	1:¥6.8365 10:¥5.7178 100:¥3.6838 1,000:¥2.9493 1,500:¥2.9493	参考库存:47017
IPA60R360P7SXKSA1	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET CONSUMER	1:¥8.4524 10:¥7.232 100:¥5.5483 500:¥4.9155 1,000:¥3.8759	参考库存:33719
FDMS007N08LC	ON Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	MOSFET PTNG 80/20V IN 5X6	1:¥12.7577 10:¥10.8367 100:¥8.6784 500:¥7.571 3,000:¥5.8421 6,000:查看	参考库存:17066
STP260N4F7	STMicroelectronics	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-channel 40 V, 0.0021 mOhm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET in a TO-220 package	1:¥12.2153 10:¥10.3734 100:¥8.2942 500:¥7.2885	参考库存:7068
TDB6HK180N16RR_B11	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	IGBT 模块 IGBT 1600V 180A	1:¥939.369 5:¥920.9274 10:¥877.9761 25:¥859.5345	参考库存:2210