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晶体管
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ZTX849

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Big Chip SELine
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数量单价合计
1
¥7.7631
7.7631
10
¥6.667
66.67
100
¥5.1302
513.02
500
¥4.5313
2265.65
1,000
¥3.5708
3570.8
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
30 V
集电极—基极电压 VCBO
80 V
发射极 - 基极电压 VEBO
6 V
集电极—射极饱和电压
180 mV
最大直流电集电极电流
5 A
增益带宽产品fT
100 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
ZTX849
高度
4.01 mm
长度
4.77 mm
封装
Bulk
宽度
2.41 mm
商标
Diodes Incorporated
集电极连续电流
5 A
Pd-功率耗散
1.2 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
4000
子类别
Transistors
单位重量
453.600 mg
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
RJK6032DPH-E0#T2
Renesas Electronics
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MOSFET MOSFET
暂无价格
参考库存:38700
2N3636L
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
1:¥115.8024
10:¥105.2708
25:¥97.3608
50:¥92.0498
参考库存:38705
2N6768T1
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100:¥671.3556
参考库存:38710
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50:¥1,716.8316
参考库存:38715
STW7N105K5
STMicroelectronics
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MOSFET N-channel 1050 V, 1.4 Ohm typ., 4 A MDmesh K5 Power MOSFETs in TO-247 package
1:¥24.4306
10:¥20.7468
100:¥18.0574
250:¥17.1308
500:¥15.368
参考库存:12565

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