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晶体管
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FDB28N30TM

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库存:11,866(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥15.142
15.142
10
¥12.9046
129.046
100
¥10.2943
1029.43
500
¥8.9948
4497.4
800
¥7.4806
5984.48
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
300 V
Id-连续漏极电流
28 A
Rds On-漏源导通电阻
108 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
250 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
UniFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.83 mm
长度
10.67 mm
系列
FDB28N30TM
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.65 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
下降时间
69 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
135 ns
工厂包装数量
800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
79 ns
典型接通延迟时间
35 ns
单位重量
1.312 g
商品其它信息
优势价格,FDB28N30TM的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 60V Vds -/+20V Vgs AEC-Q101 Qualified
1:¥5.3788
10:¥4.7008
100:¥3.9098
500:¥2.9154
3,000:¥1.9888
6,000:查看
参考库存:207055
晶体管
MOSFET 60V 175c N-Ch FET 8mOhm 10Vgs 100A
1:¥10.3734
10:¥8.8366
100:¥6.78
500:¥5.989
1,000:¥4.7234
2,500:¥4.7234
参考库存:4807
晶体管
MOSFET 800V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
1:¥27.4364
10:¥22.7469
100:¥18.7467
250:¥18.1365
500:¥16.2946
参考库存:8939
晶体管
MOSFET 100V N-Channel NexFET Power MOSFET
1:¥38.7251
10:¥34.804
50:¥34.804
100:¥28.5099
250:¥26.7358
参考库存:5656
晶体管
MOSFET Dual N-Ch 100V AEC-Q101 Qualified
1:¥6.8365
10:¥5.6048
100:¥4.3053
500:¥3.7064
1,000:¥2.9154
3,000:¥2.9154
参考库存:12608
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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