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晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Texas Instruments
产品种类	MOSFET
RoHS	是
技术	Si
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	VSON-Clip-8
通道数量	1 Channel
晶体管极性	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压	30 V
Id-连续漏极电流	100 A
Rds On-漏源导通电阻	2.3 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压	1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压	10 V
Qg-栅极电荷	24 nC
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
Pd-功率耗散	3.2 W
配置	Single
商标名	NexFET
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
高度	1 mm
长度	6 mm
系列	CSD17311Q5
晶体管类型	1 N-Channel
类型	30V N-Channel NexFET Power MOSFET
宽度	5 mm
商标	Texas Instruments
正向跨导 - 最小值	200 S
下降时间	12 ns
产品类型	MOSFET
上升时间	18 ns
工厂包装数量	2500
子类别	MOSFETs
典型关闭延迟时间	33 ns
典型接通延迟时间	12 ns
单位重量	115.600 mg

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
DMP2100U-7	Diodes Incorporated	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 20V P-CH MOSFET	1:¥3.1527 10:¥2.0679 100:¥0.89157 1,000:¥0.68365 3,000:¥0.52206	参考库存:310162
2N3501	Central Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Gen Pur SS	1:¥54.6355 10:¥54.1722 25:¥49.3358 100:¥44.5672	参考库存:4779
FQA28N15	ON Semiconductor / Fairchild	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 150V N-Channel QFET	1:¥13.1419 10:¥11.1418 100:¥8.9157 500:¥7.8422 1,000:¥6.4523	参考库存:11146
BVSS123LT1G	ON Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	MOSFET NFET 100V 170MA 6OH	1:¥2.9945 10:¥2.0679 100:¥0.95259 1,000:¥0.72998 3,000:¥0.62263	参考库存:60498
APT75GN120JDQ3	Microsemi	晶体管	PDF数据手册	IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - Fieldstop Low Freq - Combi	1:¥249.6509 5:¥238.43 10:¥230.9833 25:¥212.2366	参考库存:2415