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晶体管

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BSM300GA120DN2

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数量单价合计
1
¥1,263.2496
1263.2496
5
¥1,232.8187
6164.0935
10
¥1,202.2409
12022.409
25
¥1,185.4152
29635.38
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.5 V
在25 C的连续集电极电流
430 A
栅极—射极漏泄电流
320 nA
Pd-功率耗散
2500 W
封装 / 箱体
62 mm
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
高度
36.5 mm
长度
106.4 mm
宽度
61.4 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
BSM300GA120DN2HOSA1 SP000100730
商品其它信息
优势价格,BSM300GA120DN2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET NFET SO8 30V 8A TR 0.020R
1:¥5.537
10:¥4.6443
100:¥2.9945
1,000:¥2.3956
2,500:¥2.034
参考库存:24202
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PRE-BIAS NPN 200mW
1:¥1.8419
10:¥1.243
100:¥0.52206
1,000:¥0.35369
3,000:¥0.27685
参考库存:35679
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 DUAL NPN 50V 50MA
1:¥3.3787
10:¥2.5538
100:¥1.3786
1,000:¥1.03734
3,000:¥0.89948
参考库存:27996
晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥2.9154
10:¥2.0792
100:¥0.9605
1,000:¥0.73789
3,000:¥0.63054
参考库存:33298
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 3A 100V 40W PNP
1:¥4.6895
10:¥3.8533
100:¥2.3391
1,000:¥1.808
2,500:¥1.5481
参考库存:18985
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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