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晶体管
STD5N80K5参考图片

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STD5N80K5

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-channel 800 V, 1.50 Ohm typ., 4 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package
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数量单价合计
1
¥10.2152
10.2152
10
¥8.7575
87.575
100
¥6.6896
668.96
500
¥5.9212
2960.6
2,500
¥4.1471
10367.75
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
800 V
Id-连续漏极电流
4 A
Rds On-漏源导通电阻
1.5 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
60 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
MDmesh
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
STD5N80K5
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
14.8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
11.7 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
23 ns
典型接通延迟时间
12.7 ns
单位重量
340 mg
商品其它信息
优势价格,STD5N80K5的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Channel PwrTrench 30V 21A 9.5mOhm
1:¥4.6895
10:¥3.8872
100:¥2.373
1,000:¥1.8419
3,000:¥1.5594
参考库存:16291
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 30V 2A NPN/PNP lo VCEsat transistor
1:¥3.6838
10:¥3.051
100:¥1.8645
1,000:¥1.4351
3,000:¥1.2317
参考库存:11293
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Dual 50V NPN Low Sat 4A Ic 68mOhm 6A HFE
1:¥6.3054
10:¥5.2432
100:¥3.3787
1,000:¥2.7007
3,000:¥2.7007
参考库存:10450
晶体管
MOSFET 60V, N-channel NexFET Pwr MOSFET
1:¥18.2834
10:¥15.594
100:¥12.4526
250:¥12.4526
500:¥10.8367
参考库存:5642
晶体管
MOSFET NFET DPAK 30V 41A 9MOHM
1:¥4.6895
10:¥3.8872
100:¥2.373
1,000:¥1.8419
参考库存:10964
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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