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产品分类

晶体管
SQJ464EP-T1_GE3参考图片

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SQJ464EP-T1_GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET N-Chnl 60-V (D-S) AEC-Q101 Qualified
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库存:35,723(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥7.2207
7.2207
10
¥5.9099
59.099
100
¥4.5313
453.13
500
¥3.8985
1949.25
1,000
¥3.0849
3084.9
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-SO-8L-4
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
32 A
Rds On-漏源导通电阻
14 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
44 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
45 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.04 mm
长度
6.15 mm
系列
SQ
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.13 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
60 S
下降时间
8.8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8.9 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
25.4 ns
典型接通延迟时间
7.7 ns
单位重量
506.600 mg
商品其它信息
优势价格,SQJ464EP-T1_GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 950V 1Ohm 9A pwr MDmesh K5
1:¥19.0518
10:¥16.1364
100:¥12.9046
500:¥11.3678
参考库存:7239
晶体管
MOSFET Small Signal MOSFET
1:¥4.3844
10:¥2.9154
100:¥1.6159
1,000:¥1.2317
3,000:¥1.07576
参考库存:31156
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Medium Power
1:¥3.2996
10:¥2.5538
100:¥1.3786
1,000:¥1.03734
3,000:¥0.89948
9,000:¥0.83733
参考库存:26533
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 20V NPN Low AAT 40V 1A Schottky Dual
1:¥8.2264
10:¥7.0173
100:¥5.3901
500:¥4.7686
1,000:¥3.7629
3,000:¥3.7629
参考库存:17145
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS
1:¥49.72
10:¥44.9514
25:¥42.8722
100:¥37.1883
参考库存:3397
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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