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晶体管
SSM6L39TU,LF参考图片

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SSM6L39TU,LF

  • Toshiba
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  • MOSFET Small Signal MOSFET
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1
¥4.3844
4.3844
10
¥2.9154
29.154
100
¥1.6159
161.59
1,000
¥1.2317
1231.7
3,000
¥1.07576
3227.28
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
UF-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
1.6 A, 1.5 A
Rds On-漏源导通电阻
247 mOhms, 430 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
350 mV, 300 mV
Vgs - 栅极-源极电压
10 V, 8 V
Qg-栅极电荷
7.5 nC, 6.4 nC
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
500 mW (1/2 W)
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.7 mm
长度
2 mm
系列
SSM6L39
宽度
1.7 mm
商标
Toshiba
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
单位重量
7 mg
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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暂无价格
参考库存:37789

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