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产品分类

晶体管
SQ4961EY-T1_GE3参考图片

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SQ4961EY-T1_GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET Dual P-Channel 60V AEC-Q101 Qualified
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库存:26,959(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥12.9046
12.9046
10
¥10.6785
106.785
100
¥8.2264
822.64
500
¥7.0173
3508.65
1,000
¥5.537
5537
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
4.4 A
Rds On-漏源导通电阻
70 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
40 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
3.3 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.75 mm
长度
4.9 mm
系列
SQ
晶体管类型
2 P-Channel
宽度
3.9 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
9 S
下降时间
8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
13 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
36 ns
典型接通延迟时间
11 ns
单位重量
74 mg
商品其它信息
优势价格,SQ4961EY-T1_GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 80V N-Ch PWR FET 9000pF 130nC 214A
1:¥27.9675
10:¥22.5096
100:¥20.5208
250:¥18.5207
参考库存:5347
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Epitaxial Sil
1:¥6.6105
10:¥5.5822
100:¥4.2827
500:¥3.7855
参考库存:13799
晶体管
MOSFET 30V Asymmetric Dual N-Channel Pwr Trench
1:¥6.4523
10:¥5.3675
100:¥3.4691
1,000:¥2.7685
3,000:¥2.3391
参考库存:44751
晶体管
MOSFET BUK7M12-40E/MLFPAK/REEL 7" Q1/
1:¥4.8364
10:¥4.0002
100:¥2.4408
1,000:¥1.8871
1,500:¥1.6046
参考库存:11103
晶体管
MOSFET Energy Inversion DC-AC
1:¥22.3627
10:¥19.0518
100:¥16.4415
250:¥15.594
3,000:¥11.2209
6,000:查看
参考库存:19655
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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