PBSS304ND,115详细信息_PBSS304ND,115相关参数PDF

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Nexperia
产品种类	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS	是
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	TSOP-6
晶体管极性	NPN
配置	Single
集电极—发射极最大电压 VCEO	80 V
集电极—基极电压 VCBO	80 V
发射极 - 基极电压 VEBO	5 V
最大直流电集电极电流	3 A
增益带宽产品fT	140 MHz
最小工作温度	- 65 C
最大工作温度	+ 150 C
直流电流增益 hFE 最大值	240 at 500 mA, 2 V
高度	1 mm
长度	3.1 mm
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
宽度	1.7 mm
商标	Nexperia
直流集电极/Base Gain hfe Min	240 at 500 mA, 2 V, 190 at 1 A, 2 V, 115 at 2 A, 2 V, 70 at 3 A, 2 V, 45 at 4 A, 2 V, 35 at 5 A, 2 V, 25 at 6 A, 2 V
Pd-功率耗散	360 mW
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors
资格	AEC-Q101
工厂包装数量	3000
子类别	Transistors
零件号别名	PBSS304ND T/R
单位重量	11.800 mg

商品其它信息

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型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
JANSR2N7261U	Microsemi	晶体管	PDF数据手册	MOSFET	1:¥3,458.1051 5:¥3,410.5434 10:¥3,291.1363 25:¥3,171.8761	参考库存:33151
PTVA123501FC-V1-R250	Wolfspeed / Cree	晶体管	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET	250:¥3,941.1236	参考库存:33156
TSC5304EDCP ROG	Taiwan Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) High voltage NPN Transistor with diode	5,000:¥2.0001 10,000:¥1.8419 25,000:¥1.7628	参考库存:33161
TSM048NB06LCR RLG	Taiwan Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 60V 107A Single N-Chan Pwr MOSFET	5,000:¥5.2658 10,000:¥5.1528	参考库存:33166
2SB1184TLR	ROHM Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 50V 3A	2,500:¥1.9436 10,000:¥1.8758 25,000:¥1.7967 50,000:¥1.7741	参考库存:33171