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晶体管
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BD437

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Medium Power
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数量单价合计
1
¥5.6839
5.6839
10
¥4.7686
47.686
100
¥3.0736
307.36
1,000
¥2.4634
2463.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-32-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
45 V
集电极—基极电压 VCBO
45 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
0.2 V
最大直流电集电极电流
4 A
增益带宽产品fT
3 MHz
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
BD437
直流电流增益 hFE 最大值
130
高度
10.8 mm
长度
7.8 mm
封装
Tube
宽度
2.7 mm
商标
STMicroelectronics
集电极连续电流
4 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
30
Pd-功率耗散
36 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
2000
子类别
Transistors
单位重量
60 mg
商品其它信息
优势价格,BD437的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 600V Vds TO-263 D2PAK
1,000:¥7.684
2,000:¥7.1642
5,000:¥6.9043
10,000:¥6.6444
参考库存:29117
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 BISS RETS TAPE-7
3,000:¥0.3842
9,000:¥0.32996
24,000:¥0.30736
45,000:¥0.29154
99,000:¥0.25312
参考库存:29122
晶体管
IGBT 模块 1200V 100A Dual
100:¥508.9068
参考库存:29127
晶体管
IGBT 模块 IGBT 1200V 1800A
1:¥6,357.5156
5:¥6,255.9286
参考库存:29132
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 45 V, 1 A NPN medium power transistors
3,000:¥0.54579
9,000:¥0.48364
24,000:¥0.45313
45,000:¥0.4068
99,000:¥0.39211
参考库存:29137
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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