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产品分类

晶体管
SQ2364EES-T1_GE3参考图片

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SQ2364EES-T1_GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 60V Vds; +/-8V Vgs SOT-23; 4A Id
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库存:126,950(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.7686
4.7686
10
¥3.6612
36.612
100
¥2.712
271.2
500
¥2.2261
1113.05
3,000
¥1.5707
4712.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
2 A
Rds On-漏源导通电阻
240 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
460 mV
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
Qg-栅极电荷
2.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
3 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
8.8 S
下降时间
13 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
11 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
26 ns
典型接通延迟时间
6 ns
商品其它信息
优势价格,SQ2364EES-T1_GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 600V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
1:¥6.9156
10:¥5.4918
100:¥4.1697
500:¥3.4465
参考库存:35054
晶体管
MOSFET Power FREDFET - MOS7
1:¥268.94
5:¥259.8774
10:¥251.425
25:¥232.5201
参考库存:35059
晶体管
MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L
1:¥7.1416
10:¥5.7291
100:¥4.3505
500:¥3.5934
3,000:¥2.6103
6,000:查看
参考库存:19614
晶体管
MOSFET NFET SO8FL 60V 219A 1.8MO
1:¥20.4417
10:¥17.3681
100:¥15.0629
250:¥14.2945
5,000:¥9.9101
参考库存:35066
晶体管
MOSFET 20V 606mA 0.25W 420mohm @ 4.5V
1:¥4.3053
10:¥3.3335
100:¥2.4747
500:¥2.034
3,000:¥1.4238
6,000:查看
参考库存:35071
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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