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晶体管
NVMFS5C612NLWFAFT1G参考图片

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NVMFS5C612NLWFAFT1G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET NFET SO8FL 60V
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库存：18,637(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥19.436
19.436
10
¥16.5206
165.206
100
¥13.221
1322.1
500
¥11.526
5763
1,500
¥8.9157
13373.55
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-FL-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
250 A
Rds On-漏源导通电阻
1.13 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
91 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
167 W, 3.8 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel
商标
ON Semiconductor
正向跨导 - 最小值
151 S
下降时间
18 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
51 ns
工厂包装数量
1500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
47 ns
典型接通延迟时间
19 ns
商品其它信息
优势价格，NVMFS5C612NLWFAFT1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PTRA094252FC-V1-R0
Wolfspeed / Cree
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power Amplifier
50:¥878.2021
参考库存:28966
PTRA093302FC-V1-R2
Wolfspeed / Cree
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power Amplifier
250:¥768.40
参考库存:28971
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Transistor
100:¥282.2288
250:¥257.9564
参考库存:28976
2N5195 SL H
Central Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 80Vcbo 80Vceo 5.0V 4A 40W
1,300:¥4.5539
2,600:¥4.0454
10,400:¥3.8872
参考库存:28981
STB11NM60T4
STMicroelectronics
晶体管
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1:¥26.668
10:¥22.6678
100:¥19.6733
250:¥18.6676
1,000:¥14.0572
2,000:查看
参考库存:28986

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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