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晶体管
DMN3022LFG-7参考图片

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DMN3022LFG-7

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
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数量单价合计
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3039.7
3,000
¥3.0397
9119.1
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerDI3333-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
15 A
Rds On-漏源导通电阻
22 mOhms, 8 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V, 800 mV
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
3.7 nC, 8 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.96 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Reel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
1.9 ns, 2.4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
1.8 ns, 2.5 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
7.2 ns, 11.7 ns
典型接通延迟时间
4.5 ns, 5.6 ns
单位重量
44 mg
商品其它信息
优势价格,DMN3022LFG-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
1:¥97.0444
10:¥88.2078
25:¥81.6086
50:¥77.1451
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MOSFET 650V CoolMOS CFD2 is Infineon's second generation of market leading high voltage CoolMOS MOSFETs with integrated fast body diode. The CFD2 devices are the successor of 600V CFD with improved energy efficiency. The softer commutation behavior and ther
2,500:¥6.1246
5,000:¥5.8986
10,000:¥5.6613
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1:¥9.5259
10:¥7.8422
100:¥6.5314
500:¥5.0398
1,000:¥4.5539
参考库存:7449
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS Transistor
10,000:¥0.99101
30,000:¥0.9379
50,000:¥0.91417
100,000:¥0.88366
参考库存:29505
晶体管
MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SQJ422EP-T1_GE3
3,000:¥4.9042
6,000:¥4.6556
9,000:¥4.4748
参考库存:29510
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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