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晶体管
SQJ412EP-T2_GE3参考图片

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SQJ412EP-T2_GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SQJ422EP-T1_GE3
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库存：29,510(价格仅供参考)
数量单价合计
3,000
¥4.9042
14712.6
6,000
¥4.6556
27933.6
9,000
¥4.4748
40273.2
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK SO-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
32 A
Rds On-漏源导通电阻
4.1 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
120 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
83 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
TrenchFET
封装
Reel
系列
SQ
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
85 S
下降时间
55 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
150 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
50 ns
典型接通延迟时间
45 ns
商品其它信息
优势价格，SQJ412EP-T2_GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2N5873
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Transistor
1:¥354.5375
2:¥344.8534
5:¥335.3275
10:¥325.8016
参考库存:23850
SMP3972
InterFET
晶体管
JFET JFET N-Channel -40V 50mA 300mW 1.7mW
569:¥11.9102
1,000:¥9.831
2,500:¥8.8366
10,000:¥8.4524
参考库存:23855
BSP51H6327XTSA1
Infineon Technologies
晶体管
达林顿晶体管 AF TRANSISTORS
1:¥3.616
10:¥3.0171
100:¥1.8419
1,000:¥1.4238
2,000:¥1.2091
参考库存:23860
TSM3911DCX6 RFG
Taiwan Semiconductor
晶体管
MOSFET Dual 20V P channel Mosfet
1:¥4.7686
10:¥4.068
100:¥3.0397
500:¥2.2261
3,000:¥1.5255
6,000:查看
参考库存:23865
DTC114WKAT146
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN 50V 100MA
1:¥1.4577
10:¥1.2882
100:¥0.45313
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23052
参考库存:23870

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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