DCX115EU-7-F详细信息_DCX115EU-7-F相关参数PDF

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Diodes Incorporated
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Dual
晶体管极性	NPN, PNP
典型输入电阻器	100 kOhms, 100 kOhms
典型电阻器比率	-
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOT-363-6
直流集电极/Base Gain hfe Min	100
最大工作频率	-
集电极—发射极最大电压 VCEO	50 V
集电极连续电流	100 mA
Pd-功率耗散	200 mW
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
系列	DCX115
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
直流电流增益 hFE 最大值	600
发射极 - 基极电压 VEBO	5 V
工作温度范围	- 55 C to + 150 C
输出电压	300 mV, - 300 mV
类型	Pre-Biased Transistor
商标	Diodes Incorporated
通道数量	2 Channel
通道模式	Enhancement
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	3000
子类别	Transistors
单位重量	6 mg

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
SQ4401EY-T1_GE3	Vishay / Siliconix	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 40V 17.3A 7.14W AEC-Q101 Qualified	1:¥22.826 10:¥18.984 100:¥14.7578 500:¥12.9046 1,000:¥10.6785 2,500:¥10.6785	参考库存:63435
SQA401EEJ-T1_GE3	Vishay / Siliconix	晶体管	PDF数据手册	MOSFET -20V Vds; +/-8V Vgs PowerPAK SC-70-6L	1:¥4.6104 10:¥3.5143 100:¥2.6103 500:¥2.147 3,000:¥1.5142 6,000:查看	参考库存:19452
SIHH28N60E-T1-GE3	Vishay / Siliconix	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8	1:¥49.4036 10:¥40.9512 100:¥33.7305 250:¥32.657 3,000:¥23.5153	参考库存:8464
STD20NF06LAG	STMicroelectronics	晶体管	PDF数据手册	MOSFET Automotive-grade N-channel 60 V, 32 mOhm typ., 24 A STripFET II Power MOSFET in a DPAK package	1:¥6.3054 10:¥5.3788 100:¥4.1358 500:¥3.6612	参考库存:9926
IPD530N15N3GATMA1	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET MV POWER MOS	1:¥10.9158 10:¥9.2999 100:¥7.1868 500:¥6.3506 2,500:¥4.4409 10,000:查看	参考库存:50553