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晶体管
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ZXTN19020DGTA

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 20V HIGH GAIN
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库存:8,394(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.1472
6.1472
10
¥5.1528
51.528
100
¥3.3222
332.22
1,000
¥2.6555
2655.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-223-4
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
20 V
集电极—基极电压 VCBO
70 V
发射极 - 基极电压 VEBO
7 V
最大直流电集电极电流
9 A
增益带宽产品fT
160 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
ZXTN190
直流电流增益 hFE 最大值
300
高度
1.65 mm
长度
6.7 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
3.7 mm
商标
Diodes Incorporated
直流集电极/Base Gain hfe Min
300 at 100 mA, 2 V, 260 at 2 A, 2 V, 130 at 9 A, 2 V, 50 at 15 A, 2 V
Pd-功率耗散
5300 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
Transistors
单位重量
112 mg
商品其它信息
优势价格,ZXTN19020DGTA的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 25V Vds 16V Vgs PowerPAIR 3 x 3
1:¥7.0738
10:¥5.6952
100:¥4.3166
500:¥3.5708
1,000:¥2.8589
3,000:¥2.5877
参考库存:37947
晶体管
MOSFET N-channel 500 V, 0.325 Ohm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
1:¥17.8992
10:¥15.2098
100:¥12.1362
500:¥10.6785
参考库存:4939
晶体管
MOSFET 80V Vds 30A Id AEC-Q101 Qualified
1:¥7.5258
10:¥6.2037
100:¥4.7573
500:¥4.0906
1,000:¥3.2318
3,000:¥3.2318
参考库存:67696
晶体管
IGBT 晶体管 To further enhance the best-in-class performance of the TRENCHSTOP 5 IGBT technology, Infineon offers the technology in a high power package with an extra Kelvin emitter pin. The TO-247 4pin provides ultra-low inductance to the gate-emitter control l
1:¥47.5617
10:¥40.4201
100:¥35.0413
250:¥33.2672
500:¥29.8094
参考库存:2748
晶体管
MOSFET PCH 1.8A 60V 4V DRIVE
1:¥4.4522
10:¥3.6499
100:¥2.3504
1,000:¥1.8871
3,000:¥1.8871
参考库存:46480
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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