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晶体管
SIZ322DT-T1-GE3参考图片

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SIZ322DT-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 25V Vds 16V Vgs PowerPAIR 3 x 3
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库存：37,947(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥7.0738
7.0738
10
¥5.6952
56.952
100
¥4.3166
431.66
500
¥3.5708
1785.4
1,000
¥2.8589
2858.9
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAIR-3x3-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
25 V
Id-连续漏极电流
30 A
Rds On-漏源导通电阻
5.29 mOhms, 5.29 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
- 12 V, 16 V
Qg-栅极电荷
20.1 nC, 20.1 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
16.7 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET, PowerPAIR
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SIZ
晶体管类型
2 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
57 S
下降时间
15 ns, 15 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
25 ns, 25 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
15 ns, 15 ns
典型接通延迟时间
10 ns, 10 ns
商品其它信息
优势价格，SIZ322DT-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
EMC4DXV5T1G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 50V Dual Common Base Collector NPN & PNP
1:¥3.3787
10:¥2.3504
100:¥1.08367
1,000:¥0.82942
4,000:¥0.70738
参考库存:44223
HN1A01FU-Y,LF
Toshiba
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) US6 PLN TRANSISTOR Pd=200mW F=1MHz
1:¥2.2261
10:¥1.4238
100:¥0.5989
1,000:¥0.4068
3,000:¥0.30736
参考库存:32075
RN1606(TE85L,F)
Toshiba
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Gen Trans NPN x 2 SM6, 50V, 100A
1:¥4.2262
10:¥2.3278
100:¥0.99892
1,000:¥0.7684
3,000:¥0.58421
参考库存:34227
STW33N60M2
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-CH 600V 0.108Ohm typ. 26A MDmesh M2
1:¥31.5044
10:¥26.7358
100:¥23.2102
250:¥21.9785
参考库存:5509
IPI029N06N
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 60V 100A I2PAK-3
1:¥13.9894
10:¥11.8311
100:¥9.4468
500:¥8.2942
参考库存:6556

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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