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晶体管

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ARF461BG

  • Microsemi
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  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
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数量单价合计
1
¥337.0225
337.0225
2
¥327.8808
655.7616
5
¥318.8069
1594.0345
10
¥309.6652
3096.652
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
6.5 A
Vds-漏源极击穿电压
1 kV
增益
13 dB
输出功率
150 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
工作频率
65 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Microchip / Microsemi
正向跨导 - 最小值
3 mS
通道数量
1 Channel
Pd-功率耗散
250 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
1
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Vgs th-栅源极阈值电压
5 V
商品其它信息
优势价格，ARF461BG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IRFB42N20DPBF
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET 200V SINGLE N-CH 55mOhms 91nC
1:¥20.8259
10:¥17.7523
100:¥15.368
250:¥14.5996
参考库存:13727
SI7386DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
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MOSFET 30V 19A 5.0W 7.0mohm @ 10V
1:¥11.752
10:¥10.3734
100:¥8.2264
500:¥6.3958
3,000:¥6.3958
参考库存:21874
CSD16414Q5
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MOSFET N-Ch NexFET Power MOSFETs
1:¥14.5996
10:¥12.3735
100:¥9.831
500:¥8.6106
2,500:¥6.6896
5,000:查看
参考库存:34436
CSD16401Q5
Texas Instruments
晶体管
MOSFET N-Ch NexFET Power MOSFETs
1:¥17.1308
10:¥14.5996
100:¥11.6051
500:¥10.1474
2,500:¥7.8422
5,000:查看
参考库存:18473
PEMB13,115
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRNS DOUBL RET TAPE7
1:¥3.0736
10:¥2.0566
100:¥0.86106
1,000:¥0.58421
4,000:¥0.46104
参考库存:86220

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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