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晶体管
STP4N52K3参考图片

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STP4N52K3

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 525V 2.5A 2.1 Ohm SuperMESH3
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库存:9,352(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥10.6785
10.6785
10
¥9.1417
91.417
100
¥7.0399
703.99
500
¥6.2263
3113.15
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
525 V
Id-连续漏极电流
2.5 A
Rds On-漏源导通电阻
2.1 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.75 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
11 nC
Pd-功率耗散
20 W
配置
Single
商标名
MDmesh
封装
Tube
系列
STP4N52K3
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
14 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
7 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
单位重量
330 mg
商品其它信息
优势价格,STP4N52K3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Power MOSFET
1:¥64.7716
10:¥58.3193
25:¥53.0987
50:¥49.2567
参考库存:24967
晶体管
IGBT 模块 1700V 150A DUAL
1:¥1,590.5089
5:¥1,552.2471
10:¥1,513.6689
25:¥1,492.4588
参考库存:24972
晶体管
MOSFET AUTO 40V 1 N-CH HEXFET 4mOhms
暂无价格
参考库存:24977
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Transistor 300mW
1:¥1.695
10:¥1.5368
100:¥1.00683
1,000:¥0.33787
3,000:¥0.27685
参考库存:24982
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS W/ BLT-IN RES FLT LD 1.6x1.6mm
3,000:¥0.52997
9,000:¥0.46895
24,000:¥0.43844
参考库存:24987
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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