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晶体管
STP4N52K3参考图片

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STP4N52K3

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 525V 2.5A 2.1 Ohm SuperMESH3
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数量单价合计
1
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10.6785
10
¥9.1417
91.417
100
¥7.0399
703.99
500
¥6.2263
3113.15
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
525 V
Id-连续漏极电流
2.5 A
Rds On-漏源导通电阻
2.1 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.75 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
11 nC
Pd-功率耗散
20 W
配置
Single
商标名
MDmesh
封装
Tube
系列
STP4N52K3
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
14 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
7 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
单位重量
330 mg
商品其它信息
优势价格,STP4N52K3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power Amplifier
50:¥878.2021
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10:¥22.6678
100:¥19.6733
250:¥18.6676
1,000:¥14.0572
2,000:查看
参考库存:28986
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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