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晶体管
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BSM75GAL120DN2

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数量单价合计
1
¥625.5567
625.5567
5
¥614.1098
3070.549
10
¥586.4474
5864.474
25
¥566.921
14173.025
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
是
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Half Bridge
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.5 V
在25 C的连续集电极电流
105 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
625 W
封装 / 箱体
Half Bridge GAL 1
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
高度
30.5 mm
长度
94 mm
宽度
34 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
BSM75GAL120DN2HOSA1 SP000106455
商品其它信息
优势价格，BSM75GAL120DN2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FDP060AN08A0
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 75V 80a .6Ohms/VGS=1V
1:¥20.5886
10:¥17.4472
100:¥13.9894
500:¥12.2153
参考库存:19651
2SD1623S-TD-E
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP NPN 2A 50V
1:¥4.3053
10:¥3.6273
100:¥2.2148
1,000:¥1.7176
2,000:¥1.4577
参考库存:20673
CMPTA06 TR
Central Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Med Power
1:¥5.2997
10:¥4.5539
100:¥3.1527
1,000:¥2.3504
3,000:¥1.9775
参考库存:21635
KSH44H11TM
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Epitaxial Sil
1:¥5.537
10:¥4.6556
100:¥3.0058
1,000:¥2.3956
2,500:¥2.0227
参考库存:10397
IRGP4660D-EPBF
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 晶体管 600V UltraFast IGBT 60A 330W 140nC
1:¥72.998
10:¥66.0033
25:¥62.9297
100:¥54.6355
参考库存:4504

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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