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晶体管
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CSD18511KTT

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET GEN1.4 40V-20V
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数量单价合计
1
¥12.1362
12.1362
10
¥10.2943
102.943
100
¥8.2264
822.64
500
¥7.2207
3610.35
1,000
¥5.989
5989
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
194 A
Rds On-漏源导通电阻
3.2 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
64 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
188 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
Reel
系列
CSD18511KTT
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
249 S
下降时间
3 ns
湿度敏感性
Yes
产品类型
MOSFET
上升时间
6 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
17 ns
典型接通延迟时间
8 ns
商品其它信息
优势价格，CSD18511KTT的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
JAN2N4234
Microsemi
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥159.2848
250:¥146.1542
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JAN2N2857UB
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
100:¥452.5876
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
100:¥91.2814
250:¥83.2132
500:¥77.8344
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Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥90.6712
250:¥82.6821
500:¥77.3824
1,000:¥70.9979
参考库存:31478

  • 海量现货

    50万现货SKU

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