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晶体管
BSC050N03LSGATMA1参考图片

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BSC050N03LSGATMA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 30V 79A TDSON-8 OptiMOS 3
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数量单价合计
1
¥6.0681
6.0681
10
¥5.0624
50.624
100
¥3.2657
326.57
1,000
¥2.6103
2610.3
5,000
¥2.6103
13051.5
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TDSON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
80 A
Rds On-漏源导通电阻
4.2 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
35 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
50 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.27 mm
长度
5.9 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.15 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
38 S
下降时间
3.6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
4 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
21 ns
典型接通延迟时间
5.2 ns
零件号别名
BSC050N03LS BSC5N3LSGXT G SP000269785
单位重量
119 mg
商品其它信息
优势价格，BSC050N03LSGATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IRF7726TRPBF
Infineon / IR
晶体管
MOSFET MOSFT PCh -30V -7A 26mOhm 46nC Micro 8
1:¥5.9212
10:¥4.9833
100:¥3.2092
1,000:¥2.5764
4,000:¥2.1696
参考库存:22283
IPD60N10S4L12ATMA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 100V 60A DPAK-2
1:¥8.7575
10:¥7.5258
100:¥5.7743
500:¥5.1076
2,500:¥3.5708
10,000:查看
参考库存:9870
FDD6690A
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 30V N-Ch PowerTrench
1:¥8.4524
10:¥7.2207
100:¥5.5483
500:¥4.9042
2,500:¥3.4352
10,000:查看
参考库存:27057
STB55NF06LT4
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-Ch 60 Volt 55 Amp
1:¥13.1419
10:¥11.2209
100:¥8.9157
500:¥7.8422
1,000:¥6.5088
参考库存:7514
EMD4DXV6T5G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Dual Complementary NPN & PNP Digital
1:¥3.2318
10:¥2.0792
100:¥0.89157
1,000:¥0.68365
8,000:¥0.46104
24,000:查看
参考库存:42511

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

    物料均可追溯

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