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晶体管
BSC050N03LSGATMA1参考图片

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BSC050N03LSGATMA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 30V 79A TDSON-8 OptiMOS 3
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数量单价合计
1
¥6.0681
6.0681
10
¥5.0624
50.624
100
¥3.2657
326.57
1,000
¥2.6103
2610.3
5,000
¥2.6103
13051.5
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TDSON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
80 A
Rds On-漏源导通电阻
4.2 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
35 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
50 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.27 mm
长度
5.9 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.15 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
38 S
下降时间
3.6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
4 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
21 ns
典型接通延迟时间
5.2 ns
零件号别名
BSC050N03LS BSC5N3LSGXT G SP000269785
单位重量
119 mg
商品其它信息
优势价格，BSC050N03LSGATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2SK3756(TE12L,F)
Toshiba
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch Radio Freq 1A 3W 7V VDSS
1:¥12.9046
10:¥10.3734
100:¥8.2942
500:¥7.2546
1,000:¥6.0116
参考库存:8767
CSD18504Q5AT
Texas Instruments
晶体管
MOSFET 40V,N-Ch NexFET Pwr MOSFET
1:¥7.8422
10:¥6.6896
100:¥5.1528
250:¥5.1528
500:¥4.5539
参考库存:10604
TP2635N3-G
Microchip Technology
晶体管
MOSFET 350V 15Ohm
1:¥11.6051
10:¥11.4469
25:¥9.605
100:¥8.7575
参考库存:7431
FDMS7570S
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 25V N-Channel PowerTrench SyncFET
1:¥8.7575
10:¥7.5032
100:¥5.763
500:¥5.0963
3,000:¥3.5708
9,000:查看
参考库存:12478
BFP840ESDH6327XTSA1
Infineon Technologies
晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS
1:¥3.5369
10:¥2.938
100:¥1.7967
1,000:¥1.3899
3,000:¥1.1865
参考库存:26080

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

    物料均可追溯

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