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晶体管
2SK3756(TE12L,F)参考图片

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2SK3756(TE12L,F)

  • Toshiba
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch Radio Freq 1A 3W 7V VDSS
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数量单价合计
1
¥12.9046
12.9046
10
¥10.3734
103.734
100
¥8.2942
829.42
500
¥7.2546
3627.3
1,000
¥6.0116
6011.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
1 A
Vds-漏源极击穿电压
7.5 V
增益
12 dB
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PW-Mini-3
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
工作频率
470 MHz
系列
2SK3756
类型
RF Power MOSFET
商标
Toshiba
Pd-功率耗散
3 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
3 V
Vgs th-栅源极阈值电压
0.95 V
单位重量
50 mg
商品其它信息
优势价格,2SK3756(TE12L,F)的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-channel 900 V, 0.72 Ohm typ., 7 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package
1:¥20.0575
10:¥17.063
100:¥13.6052
500:¥11.9102
1,000:¥9.9101
参考库存:8997
晶体管
MOSFET T6 60V LL DPAK
1:¥9.5259
10:¥8.1473
100:¥6.2037
500:¥5.4805
2,500:¥3.8307
10,000:查看
参考库存:14769
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP SOT-416FL 4.7kO Input Resist
1:¥1.3786
10:¥1.2882
100:¥0.45313
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23052
参考库存:48536
晶体管
MOSFET 600V 29A N-Chnl SuperFET Easy-Drive
1:¥25.5154
10:¥21.6734
100:¥18.7467
250:¥17.8314
参考库存:9833
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Trans 30Vcbo 25Vceo 5.0Vebo 600mW
1:¥19.5151
10:¥17.3681
100:¥13.9103
500:¥12.1362
参考库存:17160
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    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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