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晶体管
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STGD7NB60ST4

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 N-Ch 600 Volt 7 Amp
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数量单价合计
1
¥11.3678
11.3678
10
¥9.6841
96.841
100
¥7.4693
746.93
500
¥6.5992
3299.6
2,500
¥4.6217
11554.25
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-252-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.6 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
15 A
Pd-功率耗散
55 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
STGD7NB60S
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极最大连续电流 Ic
15 A
高度
2.4 mm
长度
6.6 mm
宽度
6.2 mm
商标
STMicroelectronics
集电极连续电流
7 A
栅极—射极漏泄电流
+/- 100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
2500
子类别
IGBTs
商标名
PowerMESH
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,STGD7NB60ST4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
1:¥413.241
2:¥402.0314
5:¥390.8896
10:¥379.7478
参考库存:3871
晶体管
IGBT 晶体管 600V Fast 1-8kHz
1:¥20.2835
10:¥17.289
100:¥14.9838
250:¥14.2154
参考库存:8363
晶体管
MOSFET N-Ch 650 V 0.075 Ohm 22.5 A Mdmesh
1:¥64.3874
10:¥58.1724
25:¥55.483
100:¥48.1832
3,000:¥35.1882
参考库存:3745
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Gen Pur SS
1:¥4.1471
10:¥3.4691
100:¥2.1809
1,000:¥1.6385
参考库存:13647
晶体管
MOSFET NFET DPAK 60V 102A 6MOHM
1:¥11.3678
10:¥9.6841
100:¥7.4128
500:¥6.554
2,500:¥4.5878
10,000:查看
参考库存:8934
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    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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