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无线和射频半导体
AFV141KHSR5参考图片

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AFV141KHSR5

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFV141KHS/CFM4F///REEL 13
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50
¥3,779.1494
188957.47
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
2.6 A
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 105 V
增益
17.7 dB
输出功率
1 kW
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-1230S-4S-4
封装
Reel
工作频率
1.2 GHz to 1.4 GHz
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
通道数量
2 Channel
Pd-功率耗散
910 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.8 V
零件号别名
935316277178
单位重量
8.518 g
商品其它信息
优势价格，AFV141KHSR5的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MAX1473ETJ+
Maxim Integrated
无线和射频半导体
射频接收器 315MHz/434MHz Superheterodyne Rcvr
1:¥27.0522
25:¥19.2891
250:¥17.8992
1,000:¥16.2946
参考库存:2111
HMC549MS8GETR
Analog Devices
无线和射频半导体
射频放大器 Dual Output lo Noise amp , 0.04-0.96GHz
1:¥43.957
10:¥39.5726
100:¥32.431
250:¥30.736
500:¥27.5833
参考库存:3913
HMC441LH5TR
Analog Devices / Hittite
无线和射频半导体
射频放大器 Medium pow amp SMT, 7.0 - 15.5 GHz
1:¥1,355.4576
5:¥1,320.6536
10:¥1,268.4702
25:¥1,243.1921
100:¥1,220.6034
参考库存:26807
ACA1240
Skyworks Solutions, Inc.
无线和射频半导体
射频放大器 12V Line Extender Variable Gain Laminate
1:¥234.588
10:¥215.6153
25:¥203.2418
50:¥197.0946
1,500:¥149.612
参考库存:26812
RF2052SR
Qorvo
无线和射频半导体
射频混合器 30-2500MHz 32 Pin PLL/VCO
1:¥78.6028
25:¥60.2403
100:¥47.0984
参考库存:1545

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    50万现货SKU

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